三星半导体资本支出，领先全球

通过研究不同的半导体类型，预计包括 DRAM 和 NAND Flash 在内的存储器将出现最显着的复苏，增长率分别为 50% 和 32%。此外，逻辑和汽车半导体预计将分别呈现 14% 和 10% 的两位数增长率。

资本支出也有增加的趋势。去年同比下降9%后，预计今年将增长2%，转正。随着各国进入半导体生产领域，全球资本支出有所上升。内存资本支出预计将增加 15%。

Lati 指出：“去年，三星电子是资本支出最高的公司，今年他们似乎也将保持第一的位置。回顾过去十年，三星电子一直是资本支出最重要的投资者。”

三星电子预计其内存业务将在第一季度恢复盈利。公司对在人工智能（AI）市场增长的推动下存储器行业的持续复苏充满信心。因此，三星电子计划大幅增加人工智能内存的产量，其中包括需求激增的高带宽内存（HBM）。不过，该公司将在今年上半年继续去年4月开始的人为减产。

1月31日，在第四季度及年度财报电话会议上，三星电子表示预计存储器业务将在今年第一季度恢复正常。三星电子内存业务部门副总裁 Kim Jae-joon 表示：“我们计划积极应对与生成式 AI 相关的 HBM 服务器和 SSD 需求，重点关注提高盈利能力。我们预计内存业务将在今年第一季度恢复盈利。”

内存业务恢复盈利的关键在于HBM、服务器内存等高价值产品。值得注意的是，去年第四季度HBM销售额同比增长3.5倍。三星电子计划集中其整个半导体部门（包括代工厂和系统 LSI 业务部门）的能力，提供定制 HBM 以满足客户需求。

三星电子的一位代表评论道：“HBM 位销售额每个季度都在打破记录。去年第四季度，销售额环比增长超过40%，同比增长超过3.5倍。特别是在第四季度，我们锁定了主要 GPU 制造商作为我们的客户。” 该代表进一步预测，“我们已经向客户提供了下一代HBM3E的8层样品产品，并计划在今年上半年开始量产。到下半年，其占比预计将达到90%左右。”

不过，该公司计划继续减产以使库存水平正常化，同时增加 HBM 和 DDR5 等高价值产品的产量。这种选择性削减方法以 HBM 为中心，符合去年的资本支出 (CAPEX) 限制。

金副社长表示：“我们的库存正常化目标和生产调整方法保持不变。不过，鉴于DRAM和NAND每种特定产品的库存水平不同，我们计划在今年上半年继续进行选择性生产调整，同时考虑到未来的需求和库存水平。” 他补充道，“预计第一季度后 DRAM 库存将达到正常水平，NAND 也将在上半年内恢复正常，具体取决于需求和市场状况。我们将持续监控市场需求和库存水平，以灵活调整我们的业务策略。”

与此同时，三星电子去年在研发方面的投资达到创纪录的 28.34 万亿韩元（213 亿美元），并拨出 53.1 万亿韩元用于年度设施投资，为半导体繁荣做好准备。